h-параметры четырехполюсника

Проще и точнее измеряются h-параметры четырехполюсника. Поэтому они получили наибольшее распространение. Независимыми переменными в системе h-параметров являются входной ток i₁ и выходное напряжение u₂ четырехполюсника (в системе z-параметров независимыми переменными были входной и выходной токи).

Уравнения четырехполюсника в системе h-параметров имеют следующий вид:

u₁₁=h₁₁i1+h₁₂u₂
i₂ = h₂₂u₂ + h₂₁i₁                          (103)

Для измерения h-параметров четырехполюсника необходимо обеспечить режим короткого замыкания на выходе и режим холостого хода на входе.

В режиме короткого замыкания определяется величина входного сопротивления транзистора:

                             (104)

В режиме холостого хода — при разомкнутом входе определяют выходную проводимость транзистора:

                               (105)

Далее вычисляются:

• коэффициент обратной связи по напряжению, характеризующий степень влияния выходного напряжения на режим входной цепи (безразмерная величина),
                              (106)
• коэффициент усиления по току
                            (107)

В схеме с.общей базой h₂₁ = α, а в схеме с общим эмиттером h₂₁ = β, где β — коэффициент усиления по току схемы с общим эмиттером.

Если известны h-параметры для схемы включения транзистора с общей базой, то первичные параметры транзистора определяются по формулам:

                      (108)

                        (109)

                               (110)

                   (111)

h-параметры четырехполюсника можно также определить по семействам статических характеристик транзистора (рис. 91), построив характеристический треугольник. Так, для транзистора, включенного по схеме с общей базой, пользуясь входными характеристиками (рис. 91, а), определяют:

	(112)
	(113)

и по выходным характеристикам                               (114)                               (115) Рис. 91. Определение h-параметров по статическим характеристикам транзистора: а — входные характе ристики; б — выходные характеристики.

Зная h-параметры для схемы с общей базой, легко рассчитать h-параметры для схемы с общим эмиттером и общим коллектором.

Для схемы с общим эмиттером:

	(116)
	(117)
	(118)
	(119)

Для схемы с общим коллектором:

	(120)
	(121)
	(122)

В качестве примера рассчитаем h-параметры транзистора типа П-13 для схем включения с общим эмиттером и общим коллектором по известным значениям h-параметров при включении по схеме с общей базой;

h_11бл = 40 ом;  h_22б = 3,3 мкмо;
h_12б = 5·10^-3;    h_21б = -0,92.

Для схемы с общим эмиттером:

Для схемы с общим коллектором: