Тормозящее электрическое поле между анодом и экранирующей сеткой в этих лампах создается за счет особой конструкции. При подаче на электроды тетрода соответствующих потенциалов в пространстве между анодом н экранирующей сеткой образуются электронные потоки, которые создают пространственный заряд, препятствующий движению вторичных электронов от анода к экранирующей сетке. Чем больше расстояние между нею и анодом, тем большее количество электронов находится в промежутке между этими электродами. С возрастанием пространственного заряда динатронный эффект исчезает.
 |
Для того чтобы уменьшить ток экранирующей сетки, управляющую и экранирующую сетки изготовляют с одинаковым шагом и взаимно располагают так, чтобы их проекции на катод совпали (рис. 32). Ток экранной сетки при такой конструкции не превышает нескольких процентов от величины анодного тока. Рис. 32. Лучевой тетрод. 1—анод; 2—экран; 3 — траверсы экранирующей сетки; 4 — управляющая сетка; 5 —подогревный катод. |
В конструкцию лучевого тетрода вводятся экраны 2, которые предотвращают возможность перелета вторичных электронов с анода на траверсы экранирующей сети 3. Эти экраны присоединены внутри лампы к катоду (имеют нулевой потенциал) и способствуют лучеобразованию в лампе, поэтому их иногда называют лучеобразующими электродами. Под действием суммарного электрического поля, образованного сетками и лучеобразующими экранами, электронный поток формируется в электронные лучи повышенной плотности. Благодаря этому между анодом и экранирующей сеткой образуется значительный отрицательный пространственный заряд, исключающий появление динатронного эффекта.
Анодные характеристики лучевого тетрода 6П1П приведены на рис. 33.
При больших анодных токах отрицательный пространственный заряд около анода велик и поэтому в анодных характеристиках отсутствуют следы искажений. При меньших токах проявление динатронного эффекта все же сказывается на ходе анодных характеристик.
Анодные характеристики лучевого тетрода на начальном участке (при малых Ua) идут значительно круче, чем у обычных тетродов. Это объясняется тем, что в лучевом тетроде, вследствие особого расположения сеток, имеет место режим перехвата электронного потока анодом. В результате ток Ic2 при увеличении Ua резко падает, а анодный ток также резко возрастает.
Благодаря крутому подъему характеристик их пологая часть начинается при малых анодных напряжениях. Так как рабочим участком характеристик, используемым при усилении и генерировании колебаний, служит пологий участок, то достоинством лучевого тетрода является возможность использования анодного напряжения в широких пределах.
 |
Динамическая характеристика тетрода AB, показанная на рис. 33, лежит в области отрицательных напряжений на управляющей сетке, разделяя семейство статических характеристик на два участка, заметно отличающихся друг от друга. Первый участок соответствует малым анодным напряжениям. Здесь имеет место режим возврата электронов. С увеличением анодного напряжения количество возвращающихся к сетке электронов резко уменьшается; характеристика становится пологой, устанавливается режим перехвата электронов. Рис. 33. Анодные характеристики лучевого тетрода 6П1П. |
